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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Erkannte Spektren	Infrarot
	Produkt Typ	Fotodiode
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	970nm
	Gehäusegröße	SMD
	Montageart	Oberfläche
	Verpackungsart	Band und Rolle
	Anzahl der Pins	4
	Wellenlänge min.	200nm
	erfasste Wellenlänge max.	900nm
	Fallzeit typ.	0.6ns
	Verstärkt	Nein
	Betriebstemperatur min.	-25°C
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Höhe	0.46mm
	Länge	3.16mm
	Breite	3.16mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	65 °
	Automobilstandard	Nein
	Serie	J
	Regelanstiegszeit	0.6ns
	Durchschlagspannung	24.7V
	Polarität	Vorwärts
	Dunkelstrom	1nA

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Erkannte Spektren Infrarot
	Produkt Typ Fotodiode
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 970nm
	Gehäusegröße SMD
	Montageart Oberfläche
	Verpackungsart Band und Rolle
	Anzahl der Pins 4
	Wellenlänge min. 200nm
	erfasste Wellenlänge max. 900nm
	Fallzeit typ. 0.6ns
	Verstärkt Nein
	Betriebstemperatur min. -25°C
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Höhe 0.46mm
	Länge 3.16mm
	Breite 3.16mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 °
	Automobilstandard Nein
	Serie J
	Regelanstiegszeit 0.6ns
	Durchschlagspannung 24.7V
	Polarität Vorwärts
	Dunkelstrom 1nA

Mikrozellen mit hoher Dichte

Sensoren der J-Serie verfügen über die einzigartige Schnellausgangs-Anschlussklemme von ON Semiconductor

Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C

Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV

Erhältlich in einem Reflow-Löt-kompatiblen TSV-Chip-Scale-Gehäuse

Extrem niedrige Dunkelzählraten von typisch 50 kHz/mm2

Optimiert für leistungsstarke Timing-Anwendungen, wie ToF-PET

3 mm, 4 mm und 6 mm Sensorgrößen

Erzielt einen Photon-Erkennungseffizienz (PDE) von 50 % bei 420 nm

Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit

Verweigert die Notwendigkeit einer aktiven Spannungsregelung

Branchenführende Einheitlichkeit

Das TSV-Gehäuse sorgt für fast null Todesraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor und ist eisenmetallfrei

Anwendungen

Medizinische Bildgebung

Gefahren und Bedrohungen

3D-Ranging und -Erfassung

Biophotonik und Wissenschaften

Hochenergetische Physik

onsemi J Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse 4-Pin

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