onsemi J Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, SMD SMD-Gehäuse 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 185-9624
- Herst. Teile-Nr.:
- MICROFJ-30035-TSV-TR1
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 970nm | |
| Gehäusegröße | SMD | |
| Montageart | SMD | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Anzahl der Pins | 4 | |
| Wellenlänge min. | 200nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 900nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 3.16mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.16mm | |
| Höhe | 0.46mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Durchschlagspannung | 24.7V | |
| Regelanstiegszeit | 0.6ns | |
| Dunkelstrom | 1nA | |
| Polarität | Vorwärts | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | J | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 970nm | ||
Gehäusegröße SMD | ||
Montageart SMD | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Anzahl der Pins 4 | ||
Wellenlänge min. 200nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 900nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 3.16mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.16mm | ||
Höhe 0.46mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Durchschlagspannung 24.7V | ||
Regelanstiegszeit 0.6ns | ||
Dunkelstrom 1nA | ||
Polarität Vorwärts | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie J | ||
Mikrozellen mit hoher Dichte
Sensoren der J-Serie verfügen über die einzigartige Schnellausgangs-Anschlussklemme von ON Semiconductor
Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C
Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV
Erhältlich in einem Reflow-Löt-kompatiblen TSV-Chip-Scale-Gehäuse
Extrem niedrige Dunkelzählraten von typisch 50 kHz/mm2
Optimiert für leistungsstarke Timing-Anwendungen, wie ToF-PET
3 mm, 4 mm und 6 mm Sensorgrößen
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Erzielt einen Photon-Erkennungseffizienz (PDE) von 50 % bei 420 nm
Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit
Verweigert die Notwendigkeit einer aktiven Spannungsregelung
Branchenführende Einheitlichkeit
Das TSV-Gehäuse sorgt für fast null Todesraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor und ist eisenmetallfrei
Anwendungen
Medizinische Bildgebung
Gefahren und Bedrohungen
3D-Ranging und -Erfassung
Biophotonik und Wissenschaften
Hochenergetische Physik
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