onsemi J Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, SMD SMD-Gehäuse 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 185-9624
- Herst. Teile-Nr.:
- MICROFJ-30035-TSV-TR1
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 970nm | |
| Gehäusegröße | SMD | |
| Montageart | SMD | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Anzahl der Pins | 4 | |
| Wellenlänge min. | 200nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 900nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Verstärkt | Nein | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.46mm | |
| Länge | 3.16mm | |
| Regelanstiegszeit | 0.6ns | |
| Durchschlagspannung | 24.7V | |
| Polarität | Vorwärts | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | J | |
| Dunkelstrom | 1nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 970nm | ||
Gehäusegröße SMD | ||
Montageart SMD | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Anzahl der Pins 4 | ||
Wellenlänge min. 200nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 900nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Verstärkt Nein | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.46mm | ||
Länge 3.16mm | ||
Regelanstiegszeit 0.6ns | ||
Durchschlagspannung 24.7V | ||
Polarität Vorwärts | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie J | ||
Dunkelstrom 1nA | ||
Mikrozellen mit hoher Dichte
Die Sensoren der J-Serie verfügen über Terminal mit einzigartigem "schnellen Ausgang" von ON Semiconductor
Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C
Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV
Erhältlich in einem mit Reflow-Lötverfahren kompatiblen Chip-Scale-Gehäuse des TSV
Extrem niedrige Dunkelzählraten von 50 kHz/mm2 (typisch)
Optimiert für Hochleistungs-Zeitsteuerungsanwendungen, wie z. B. ToF-PET
Sensorgrößen: 3 mm, 4 mm und 6 mm
Vorspannung von< 30 V.
Ergebnis: 50 % Photonenerkennungseffizienz (PDE) bei 420 nm
Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit
Macht eine aktive Spannungsregelung überflüssig
Branchenführende Gleichmäßigkeit
Das TSG-Gehäuse sorgt für nahezu null Totraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor. Es ist eisenmetallfrei
Anwendungen
Medizinische Bildgebung
Gefahr und Gefahr
3D-Bereichswahl und -Erfassung
Biophotonik und Wissenschaft
Hochenergiephysik
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