ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 10μs, 730nm → 1120nm, 2-Pin 5mm
- RS Best.-Nr.:
- 665-5340P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 300 FA
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Nicht verfügbar
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- 665-5340P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 300 FA
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSRAM Opto Semiconductors | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Fallzeit typ. | 10µs | |
| Regelanstiegszeit | 10µs | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Dunkelstrom max. | 50nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 50 ° | |
| Polarität | NPN | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Montage Typ | THT | |
| Gehäusetyp | 5 mm (T-1 3/4) | |
| Abmessungen | 5.9 x 5.9 x 9mm | |
| Kollektorstrom | 50mA | |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 730 → 1120 nm | |
| Wellenlänge max. | 1120nm | |
| Wellenlänge min. | 730nm | |
| Höhe über Panel | 9mm | |
| Breite | 5.9mm | |
| Länge | 5.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSRAM Opto Semiconductors | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Fallzeit typ. 10µs | ||
Regelanstiegszeit 10µs | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Dunkelstrom max. 50nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 50 ° | ||
Polarität NPN | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Montage Typ THT | ||
Gehäusetyp 5 mm (T-1 3/4) | ||
Abmessungen 5.9 x 5.9 x 9mm | ||
Kollektorstrom 50mA | ||
Empfindlichkeit im Spektralbereich 730 → 1120 nm | ||
Wellenlänge max. 1120nm | ||
Wellenlänge min. 730nm | ||
Höhe über Panel 9mm | ||
Breite 5.9mm | ||
Länge 5.9mm | ||
Fototransistor-Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)
Diese Produktfamilie von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 5 mm (T-1 3/4) Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind computergesteuerte Blitze, Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.
5 mm (T-1 3/4) Gehäuse
Durchgangsbohrung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
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