ams OSRAM TOPLED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 16μA, 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 665-5426
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 3211 FA
- Marke:
- ams OSRAM
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Produktdetails
Fototransistor TOPLED® RG-Gehäuse
Diese Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors sind aus der TOPLED®-Serie. Sie befinden sich in einem PLCC-2-Gehäuse zur Oberflächenmontage (SMD). Durch ihr Reverse-Gullwing-Format sind sie ideal für bündige Montage oder zum Durchstecken durch Leiterplatten. Diese TOPLED®-Fototransistoren sind in Ausführungen mit und ohne Tageslichtfilter erhältlich.
Merkmale der TOPLED®-RG-Fototransistoren:
PLCC-2-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Reverse-Gullwing (RGW)
Halber Winkel: 60°
PLCC-2-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Reverse-Gullwing (RGW)
Halber Winkel: 60°
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 7µs |
| Regelanstiegszeit | 7µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 16µA |
| Dunkelstrom max. | 200nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 120 ° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | Oberflächenmontage |
| Abmessungen | 3.4 x 3 x 2mm |
| Kollektorstrom | 15mA |
| Wellenlänge min. | 730nm |
| Wellenlänge max. | 1120nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 730 → 1120 nm |
| Serie | TOPLED |
| Länge | 3.4mm |
| Breite | 3mm |
| Höhe über Panel | 2mm |
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