Vishay THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 6μs, 450nm → 1080nm / 600μA, 3-Pin TO18
- RS Best.-Nr.:
- 815-1257
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW76B
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 815-1257
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW76B
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Fototransistoren Serie BPW76A und BPW76B
Die Serien BPW76A und BPW76B von Vishay Semiconductor sind eine Familie von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie verfügen über gekapselte TO-18-Gehäuse mit einem Glasfenster. Sie sind empfindlich für sichtbare und Nahe-IR-Strahlung. Die Fototransistoren BPW76A und BPW76B sind ideal für den Einsatz als Detektoren in elektronischen Steuerungs- und Antriebskreisen.
Merkmale der Fototransistoren BPW76A und BPW76B:
TO-18-Gehäuse
Durchgangsbohrung
4,7 mm Durchmesser
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Winkel für halbe Intensität: 40°
Betriebstemperatur: –40 bis +125 °C
TO-18-Gehäuse
Durchgangsbohrung
4,7 mm Durchmesser
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Winkel für halbe Intensität: 40°
Betriebstemperatur: –40 bis +125 °C
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
| Fallzeit typ. | 5µs |
| Regelanstiegszeit | 6µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 600µA |
| Dunkelstrom max. | 100nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±40° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 3 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | TO18 |
| Abmessungen | 4.7 x 5.2mm |
| Kollektorstrom | 50mA |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 450 → 1080 nm |
| Durchmesser | 4.7mm |
| Wellenlänge min. | 450nm |
| Wellenlänge max. | 1080nm |
| Höhe über Panel | 5.2mm |
- RS Best.-Nr.:
- 815-1257
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW76B
- Marke:
- Vishay
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