Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 3000 ns Serial-I2C (2-Draht) Oberfläche SOIC 8-Pin

RS Best.-Nr.:: 125-4207P
Herst. Teile-Nr.:: FM24C04B-G
Marke:: Infineon

Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 3000 ns Serial-I2C (2-Draht) Oberfläche SOIC 8-Pin

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RS Best.-Nr.:: 125-4207P
Herst. Teile-Nr.:: FM24C04B-G
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	FRAM
	Speicher Größe	4kB
	Organisation	512 x 8 bit
	Schnittstellentyp	Serial-I2C (2-Draht)
	Datenbus-Breite	8bit
	Zugriffszeit max.	3000ns
	Montageart	Oberfläche
	Gehäusegröße	SOIC
	Pinanzahl	8
	Höhe	1.48mm
	Länge	4.97mm
	Breite	3.98mm
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Anzahl der Bits pro Wort	8
	Anzahl der Wörter	512
	Automobilstandard	AEC-Q100

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	Marke Infineon
	Produkt Typ FRAM
	Speicher Größe 4kB
	Organisation 512 x 8 bit
	Schnittstellentyp Serial-I2C (2-Draht)
	Datenbus-Breite 8bit
	Zugriffszeit max. 3000ns
	Montageart Oberfläche
	Gehäusegröße SOIC
	Pinanzahl 8
	Höhe 1.48mm
	Länge 4.97mm
	Breite 3.98mm
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Anzahl der Bits pro Wort 8
	Anzahl der Wörter 512
	Automobilstandard AEC-Q100

FM24C04B-G Datasheet

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nichtflüchtigen RAMs sowohl für serielle als auch für parallele Schnittstellen. Teile mit dem Suffix A sind für Automobilanwendungen konzipiert und AEC-Q100 qualifiziert.

Nichtflüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher

Schnelle Schreibgeschwindigkeit

Hohe Ausdauer

Niedriger Energiebedarf

FRAM (ferroelektrischer RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) ist ein nichtflüchtiger Speicher, der ferroelektrische Folie als Kondensator zur Speicherung von Daten verwendet. F-RAM verfügt über Eigenschaften von ROM- und RAM-Geräten und verfügt über einen schnellen Zugriff, eine hohe Ausdauer im Schreibmodus, einen geringen Stromverbrauch, Nichtflüchtigkeit und ausgezeichnete Manipulationssicherheit. Er ist daher der ideale Speicher für den Einsatz in Smartkarten, die eine hohe Sicherheit und einen geringen Stromverbrauch erfordern, sowie in Mobiltelefonen und anderen Geräten.

Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 3000 ns Serial-I2C (2-Draht) Oberfläche SOIC 8-Pin

FRAM, Cypress Semiconductor

FRAM (ferroelektrischer RAM)

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