Infineon FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit 70 ns Parallel Oberfläche SOIC 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-4229
- Herst. Teile-Nr.:
- FM28V020-SG
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Schnittstellentyp | Parallel | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 70ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.97mm | |
| Höhe | 1.38mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Schnittstellentyp Parallel | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 70ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 28 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.97mm | ||
Höhe 1.38mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 2V | ||
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
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