Infineon FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 bit 70ns Parallel SMD SOIC 28-Pin 2 V bis 3,6 V

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RS Best.-Nr.:
125-4229
Herst. Teile-Nr.:
FM28V020-SG
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

256kbit

Organisation

32K x 8 bit

Interface-Typ

Parallel

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

70ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

28

Abmessungen

18.11 x 7.62 x 2.37mm

Länge

18.11mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Breite

7.62mm

Höhe

2.37mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Arbeitsspannnung min.

2 V

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Wörter

32K

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

256-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 32 K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Seitenmodusbetrieb
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
SRAM-kompatibel
32 K x 8 SRAM-Pinbelegung nach Industriestandard
70 ns Zugriffszeit, 140 ns Zykluszeit
Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
Keine Probleme mit der Batterie
Monolithische Zuverlässigkeit
Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
Beständig gegen negative Spannungsunterschreitungen
Geringer Stromverbrauch
Wirkstrom: 5 mA (typ.)
Standby-Strom: 90 μA (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse:
28-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
28-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ I
32-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ I


FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

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