Infineon FRAM 256 kB, 32k x 8 bit 70 ns Oberfläche SOIC-28 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5305
- Herst. Teile-Nr.:
- FM18W08-SGTR
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
12,12 €
(ohne MwSt.)
14,42 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 24 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 49 | 12,12 € |
| 50 - 99 | 10,93 € |
| 100 + | 9,62 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5305
- Herst. Teile-Nr.:
- FM18W08-SGTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Organisation | 32k x 8 bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 70ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC-28 | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Organisation 32k x 8 bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 70ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC-28 | ||
Pinanzahl 28 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein nicht flüchtiger 32 K x 8-Speicher, der ähnlich wie ein Standard-SRAM liest und schreibt. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig, was bedeutet, dass Details nach dem Entfernen der Stromversorgung beibehalten werden. Es bietet eine Datenspeicherung für über 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Bedenken hinsichtlich der Zuverlässigkeit, die funktionalen Nachteile und die Komplexität des Systemdesigns von batteriegesichertem SRAM. Die schnelle Schreibzeit und die hohe Schreibdauer machen den FRAM überlegen gegenüber anderen Speichertypen.
RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
Kompatibel mit SRAM und EEPROM
Überlegen gegenüber batteriegesicherten SRAM-Modulen
Beständig gegen negative Spannungsunterschläge
Verwandte Links
- Infineon FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 70ns I2C SOIC 28-Pin
- Infineon FRAM-Speicher 256kbit7 V bis 5,5 V
- Infineon FRAM-Speicher 256kbit5 V bis 5,5 V
- Infineon FRAM-Speicher 256kbit6 V
- Infineon FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 Seriell-I2C SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 bit I2C SMD SOIC 14-Pin
- Infineon FRAM-Speicher 256kbit6 V
- Infineon FRAM-Speicher 256kbit7 V bis 5,5 V
