Infineon FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 bit 450ns I2C SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

256-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM logisch organisiert als 32K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle zur Datenspeicherung und Haltbarkeit)
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle serielle Zweidraht-Schnittstelle (I2C)
Bis zu 3,4 MHz Frequenz [1]
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
175 μA Wirkstrom bei 100 kHz
150 μA Standby-Strom
8 μA Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.