Infineon FRAM-Speicher 1MBit, 128K x 8 bit 450ns I2C SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V

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RS Best.-Nr.:
188-5405
Herst. Teile-Nr.:
FM24V10-G
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

1MBit

Organisation

128K x 8 bit

Interface-Typ

I2C

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

450ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Länge

4.97mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Breite

3.98mm

Höhe

1.48mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Arbeitsspannnung min.

2 V

Anzahl der Wörter

128k

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Automobilstandard

AEC-Q100

Ursprungsland:
US

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

1 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 128K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle zweiadrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 3,4 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geräte-ID und Seriennummer
Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige Seriennummer (FM24VN10)
Geringer Stromverbrauch
175 μA Wirkstrom bei 100 kHz
90 μA (typ.) Standby-Strom
5 μA (typ.) Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)


FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

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