Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 20ns SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,65 V

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RS Best.-Nr.:
188-5413
Herst. Teile-Nr.:
FM25CL64B-G
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

64kbit

Organisation

8K x 8 bit

Interface-Typ

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

20ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Länge

4.97mm

Arbeitsspannnung max.

3,65 V

Breite

3.98mm

Höhe

1.48mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Wörter

8k

Arbeitsspannnung min.

2,7 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Ursprungsland:
US

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch


FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

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