Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 10 ns Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 215-5779
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-GTR
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
6,82 €
(ohne MwSt.)
8,115 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 75 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 4.065 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,364 € | 6,82 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-5779
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-GTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 512 x 8 bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Länge | 4.97mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 512 x 8 bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Länge 4.97mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.98 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der Cypress Semiconductor FM24C04B ist ein nicht flüchtiger 4-Kbit-Speicher mit einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Sie bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Systemzuverlässigkeitsprobleme, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Verwandte Links
- Infineon FRAM-Speicher 4kbit5 V bis 5,5 V
- Infineon FRAM-Speicher 4kbit5 V bis 5,5 V
- Infineon FRAM-Speicher 4kbit I2C) SMD SOIC 8-Pin 45 V
- Infineon FRAM-Speicher 4kbit5 V bis 5,5 V
- Infineon FRAM-Speicher 4kbit7 V bis 3,65 V
- Infineon FRAM-Speicher 4kbit7 V bis 3,6 V
- Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 x 8 Seriell-I2C SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 x 8 Seriell-SPI SOIC 8-Pin