Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 M x 8 Bit 550ns I2C SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,65 V
- RS Best.-Nr.:
- 181-8319
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24CL04B-GTR
- Marke:
- Infineon
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| 125 - 245 | 1,608 € | 8,04 € |
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- 181-8319
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- FM24CL04B-GTR
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4kbit | |
| Organisation | 512 M x 8 Bit | |
| Interface-Typ | I2C | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 550ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.47mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Breite | 3.98mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,65 V | |
| Höhe | 1.47mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 512M | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4kbit | ||
Organisation 512 M x 8 Bit | ||
Interface-Typ I2C | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 550ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.47mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Breite 3.98mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,65 V | ||
Höhe 1.47mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 512M | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
100° A Wirkstrom bei 100 kHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
100° A Wirkstrom bei 100 kHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
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