Infineon FRAM-Speicher 16kbit, 2K x 8 Bit 20ns SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,6 V

RS Best.-Nr.:: 184-0068
Herst. Teile-Nr.:: FM25L16B-GTR
Marke:: Infineon

Infineon FRAM-Speicher 16kbit, 2K x 8 Bit 20ns SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,6 V

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RS Best.-Nr.:: 184-0068
Herst. Teile-Nr.:: FM25L16B-GTR
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	16kbit
	Organisation	2K x 8 Bit
	Interface-Typ	SPI
	Datenbus-Breite	8bit
	Zugriffszeit max.	20ns
	Montage-Typ	SMD
	Gehäusegröße	SOIC
	Pinanzahl	8
	Abmessungen	4.97 x 3.98 x 1.48mm
	Länge	4.97mm
	Arbeitsspannnung max.	3,6 V
	Breite	3.98mm
	Höhe	1.48mm
	Betriebstemperatur max.	+85 °C
	Anzahl der Bits pro Wort	8bit
	Arbeitsspannnung min.	2,7 V
	Betriebstemperatur min.	–40 °C
	Anzahl der Wörter	2K
	Automobilstandard	AEC-Q100

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	Marke Infineon
	Speicher Größe 16kbit
	Organisation 2K x 8 Bit
	Interface-Typ SPI
	Datenbus-Breite 8bit
	Zugriffszeit max. 20ns
	Montage-Typ SMD
	Gehäusegröße SOIC
	Pinanzahl 8
	Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm
	Länge 4.97mm
	Arbeitsspannnung max. 3,6 V
	Breite 3.98mm
	Höhe 1.48mm
	Betriebstemperatur max. +85 °C
	Anzahl der Bits pro Wort 8bit
	Arbeitsspannnung min. 2,7 V
	Betriebstemperatur min. –40 °C
	Anzahl der Wörter 2K
	Automobilstandard AEC-Q100

Datasheet FM25L16B-GTR

Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung und -dauer auf Seite 12)
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200 μA Wirkstrom bei 1 MHz
3 μA (typ.) Standby-Strom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)

Infineon FRAM-Speicher 16kbit, 2K x 8 Bit 20ns SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,6 V

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