Infineon FRAM-Speicher 16kbit, 2 K x 8 Seriell-SPI SOIC 8-Pin

Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 16-Kbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenaufbewahrung für 121 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu EEPROM führt es Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine hohe Schreibbeständigkeit.

RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
AEC Q100 Grade 1 konform
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Hohe Ausdauer 10 Billionen Lese- und Schreibvorgänge
Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess