- RS Best.-Nr.:
- 273-7313
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B004Q-SXE
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 4-Kbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 121 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
AEC Q100 Grade 1 konform
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Softwareschutz durch Schreibsperrbefehl
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
AEC Q100 Grade 1 konform
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Softwareschutz durch Schreibsperrbefehl
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 4kbit |
Organisation | 512 x 8 |
Interface-Typ | Seriell-SPI |
Datenbus-Breite | 8bit |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 8 |
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