Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 Seriell-SPI SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7313
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B004Q-SXE
- Marke:
- Infineon
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- CY15B004Q-SXE
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 512 x 8 | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 120°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 512 x 8 | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 120°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 4-Kbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 121 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
AEC Q100 Grade 1 konform
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Softwareschutz durch Schreibsperrbefehl
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