Infineon FRAM 4 kB Seriell-SPI FM25L04B-G 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7386
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L04B-G
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7386
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L04B-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 20MHz | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 20MHz | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 4-Kbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu seriellem Flash und EEPROM werden Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit durchgeführt. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine hohe Schreibbeständigkeit.
RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Hohe Ausdauer mit 100 Billionen Lese- und Schreibvorgängen
Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
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