Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
273-7387
Herst. Teile-Nr.:
FM25L04B-G
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

4kB

Organisation

512 x 8 bit

Schnittstellentyp

Seriell-SPI

Datenbus-Breite

8bit

Taktfrequenz max.

20MHz

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Normen/Zulassungen

Restriction of hazardous substances (RoHS)

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Anzahl der Wörter

512

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

40°C

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Anzahl der Bits pro Wort

8

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

Der FRAM von Infineon ist ein nicht flüchtiger 4-Kbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu seriellem Flash und EEPROM werden Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit durchgeführt. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine hohe Schreibbeständigkeit.

RoHS-Konformität

Niedriger Energiebedarf

Sehr schnelle serielle Peripherie-Schnittstelle

Ausgefeiltes Schreibschutzsystem

Hohe Ausdauer, 100 Billionen Lese- und Schreibleistung

Erweiterter ferroelektrischer Prozess mit hoher Zuverlässigkeit

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