- RS Best.-Nr.:
- 215-5780
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25C160B-GTR
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
Der Cypress Semiconductor FM25C160B ist ein nichtflüchtiger 16-Kbit-Speicher mit einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Sie bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Probleme mit der Zuverlässigkeit auf Systemebene, die durch serielles Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 16kbit |
Organisation | 2K x 8 Bit |
Interface-Typ | Seriell-SPI |
Datenbus-Breite | 8bit |
Zugriffszeit max. | 5ns |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 8 |
Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Länge | 4.97mm |
Arbeitsspannnung max. | 5,5 V |
Breite | 3.98mm |
Höhe | 1.48mm |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Automobilstandard | AEC-Q100 |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Anzahl der Wörter | 2 K |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 4,5 V |
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