Infineon FRAM 16 kB, 2K x 8 bit 5 ns SPI SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 215-5780
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25C160B-GTR
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- 215-5780
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25C160B-GTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 16kB | |
| Organisation | 2K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 5ns | |
| Taktfrequenz max. | 20MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Höhe | 1.38mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Wörter | 2 | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 16kB | ||
Organisation 2K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 5ns | ||
Taktfrequenz max. 20MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Breite 3.98 mm | ||
Höhe 1.38mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Wörter 2 | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Der Cypress Semiconductor FM25C160B ist ein nichtflüchtiger 16-Kbit-Speicher mit einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Sie bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Probleme mit der Zuverlässigkeit auf Systemebene, die durch serielles Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
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