Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8508
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QN-50SXI
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QN-50SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch
Niederspannungsbetrieb
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