Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 Quad-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Organisation | 512k x 8 | |
| Schnittstellentyp | Quad-SPI | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Wörter | 524288 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Organisation 512k x 8 | ||
Schnittstellentyp Quad-SPI | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Wörter 524288 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ultra Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Dieser Speicher führt Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus, sodass keine Schreibverzögerungen entstehen.
Serielle Einzel- und Multi-IO-Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor
Software-Blockschutz
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