Infineon FRAM 4 MB Quad-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Schnittstellentyp | Quad-SPI | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Anzahl der Wörter | 524288 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Schnittstellentyp Quad-SPI | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
Anzahl der Wörter 524288 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ultra Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Dieser Speicher führt Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus, sodass keine Schreibverzögerungen entstehen.
Serielle Einzel- und Multi-IO-Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor
Software-Blockschutz
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