Infineon FRAM 4 MB Quad-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
17,03 €
(ohne MwSt.)
20,27 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 456 Einheit(en) mit Versand ab 05. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 17,03 € |
| 10 - 99 | 16,01 € |
| 100 - 249 | 15,44 € |
| 250 - 349 | 14,96 € |
| 350 + | 14,58 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Schnittstellentyp | Quad-SPI | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Anzahl der Wörter | 524288 | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Schnittstellentyp Quad-SPI | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
Anzahl der Wörter 524288 | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ultra Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Dieser Speicher führt Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus, sodass keine Schreibverzögerungen entstehen.
Serielle Einzel- und Multi-IO-Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor
Software-Blockschutz
Verwandte Links
- Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256K x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256K x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- Infineon FRAM 8 MB, 1024K x 8 0 ns Seriell-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 1 MB, 128K x 8 bit 18 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin