Infineon FRAM-Speicher 4MB, 512 K x 8 SPI SOIC 8-Pin

Infineons Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.

Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch
Niederspannungsbetrieb