Infineon FRAM 1 MB TSOP 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5335
- Herst. Teile-Nr.:
- FM28V100-TGTR
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Betriebstemperatur min. | 80°C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 32 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Betriebstemperatur min. 80°C | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein nicht flüchtiger 128 K x 8-Speicher, der ähnlich wie ein Standard-SRAM liest und schreibt. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig, was bedeutet, dass Details nach dem Entfernen der Stromversorgung beibehalten werden. Es bietet eine Datenspeicherung für über 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Bedenken hinsichtlich der Zuverlässigkeit, die funktionalen Nachteile und die Komplexität des Systemdesigns von batteriegesichertem SRAM. Die schnelle Schreibzeit und die hohe Schreibdauer machen den FRAM überlegen gegenüber anderen Speichertypen.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
Überlegen gegenüber batteriegesicherten SRAM-Modulen
Überlegen für Feuchtigkeit und Stöße mit Vibrationen
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