Infineon Serielle (SPI) F-RAM 256 kB Seriell-SPI FM25V02A-G 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7388
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V02A-G
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V02A-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Produkt Typ | Serielle (SPI) F-RAM | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 40MHz | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Produkt Typ Serielle (SPI) F-RAM | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 40MHz | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung 2V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 256-Kbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu seriellem Flash und EEPROM werden Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit durchgeführt. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine hohe Schreibbeständigkeit.
RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Hohe Ausdauer mit 100 Billionen Lese- und Schreibvorgängen
Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
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