Infineon Serielle (SPI) F-RAM 256 kB Seriell-SPI FM25V02A-G 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7389
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V02A-G
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Serielle (SPI) F-RAM | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 40MHz | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Serielle (SPI) F-RAM | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 40MHz | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Minimale Versorgungsspannung 2V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 256-Kbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu seriellem Flash und EEPROM werden Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit durchgeführt. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine hohe Schreibbeständigkeit.
RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Hohe Ausdauer mit 100 Billionen Lese- und Schreibvorgängen
Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
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