Infineon Gate-Treiber MOSFET 8 A 1 6-Pin SOT-23 20V 4.5 ns

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (15 Stück, in einer Packung mit 15)*

6,44 €

(ohne MwSt.)

7,67 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 8.040 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 600,429 €6,44 €
75 - 1350,408 €6,12 €
150 - 3600,399 €5,99 €
375 - 7350,373 €5,60 €
750 +0,344 €5,16 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4763
Herst. Teile-Nr.:
1EDN7511BXUSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber

Ausgangsstrom

8A

Pinanzahl

6

Gehäusegröße

SOT-23

Abfallzeit

4.5ns

Anzahl der Ausgänge

5

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

6.5ns

Minimale Versorgungsspannung

4.2V

Anzahl der Treiber

1

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.6mm

Serie

1EDN7511B

Höhe

1.45mm

Länge

2.9mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Gate-Treiber der Serie 1EDN7511B von Infineon, 4,2 V Mindestversorgungsspannung, 20 V maximale Versorgungsspannung - 1EDN7511BXUSA1


Dieser Gate-Treiber ist ein einkanaliger MOSFET-Treiber zur Steuerung von Leistungstransistoren in Nieder- bis Mittelspannungssystemen. Er arbeitet mit einer geringen Versorgungsspannung und eignet sich für oberflächenmontierte Anwendungen, bei denen eine kompakte Grundfläche und thermische Beständigkeit erforderlich sind. Das Gerät bietet schnelle Schaltfunktionen und mehrere Ausgänge zur Ansteuerung von MOSFET-Gates in einem kompakten Gehäuse.

Merkmale und Vorteile:


• Unterstützt einen Versorgungsbereich von 4,2-20 V für flexible Stromversorgungsanordnungen
• Liefert 8 A Ausgangsstrom für effektive MOSFET-Gate-Ladung
• Fünf Ausgänge ermöglichen die gleichzeitige Gate-Ansteuerung mehrerer Transistoren
• Anstiegszeit 6,5 ns für schnelle Einschaltreaktion
• Fallzeit 4,5 ns für schnelle Abschaltübergänge
• Arbeitet zwischen -40 und 150 °C für erweiterte Temperaturumgebungen

Anwendungsbereich


• Geeignet für die Ansteuerung mehrerer Leistungs-MOSFETs in Wandlerstufen
• Ideal für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule und Controller
• Wird mit Einkanal-Gate-Topologien verwendet, die einen hohen Spitzenstrom erfordern
• Kann für Hochfrequenz-Schaltnetzteile verwendet werden
• Geeignet für kompakte Motorsteuerungs-Treiberplatinen

Welches Gehäuse und welche Anzahl von Stiften wird verwendet?


Er wird in einem 6-poligen SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage geeignet ist.

Wie verhält es sich in thermisch anspruchsvollen Umgebungen?


Er ist für den Betrieb bei maximal 150 °C und bei mindestens -40 °C ausgelegt.

Welchen Gate-Treibertyp und welche Ausgangsanordnung bieten sie?


Es handelt sich um einen MOSFET-Treiber mit einem einzigen Treiberkanal und fünf Ausgängen.

Was sind die Abmessungen der Geräte für die Leiterplatten-Layoutplanung?


Das Gehäuse misst 2,9 mm in der Länge, 1,6 mm in der Breite und 1,45 mm in der Höhe.

Welche elektrische Leistung sollte für die Schaltdynamik erwartet werden?


Erwarten Sie eine Anstiegszeit von 6,5 ns und eine Abfallzeit von 4,5 ns bei einer Ausgangsleistung von 8 A.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.