Infineon Gate-Treiber MOSFET 8 A 1 6-Pin SOT-23 20V 4.5 ns

RS Best.-Nr.:: 222-4762
Herst. Teile-Nr.:: 1EDN7511BXUSA1
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 8 A 1 6-Pin SOT-23 20V 4.5 ns

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RS Best.-Nr.:: 222-4762
Herst. Teile-Nr.:: 1EDN7511BXUSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	8A
	Pinanzahl	6
	Abfallzeit	4.5ns
	Gehäusegröße	SOT-23
	Anzahl der Ausgänge	5
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anstiegszeit	6.5ns
	Minimale Versorgungsspannung	4.2V
	Maximale Versorgungsspannung	20V
	Anzahl der Treiber	1
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2.9mm
	Höhe	1.45mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.6mm
	Serie	1EDN7511B
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 8A
	Pinanzahl 6
	Abfallzeit 4.5ns
	Gehäusegröße SOT-23
	Anzahl der Ausgänge 5
	Treiber-Typ MOSFET
	Anstiegszeit 6.5ns
	Minimale Versorgungsspannung 4.2V
	Maximale Versorgungsspannung 20V
	Anzahl der Treiber 1
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2.9mm
	Höhe 1.45mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.6mm
	Serie 1EDN7511B
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - 1EDN7511BXUSA1

Gate-Treiber der Serie 1EDN7511B von Infineon, 4,2 V Mindestversorgungsspannung, 20 V maximale Versorgungsspannung - 1EDN7511BXUSA1

Dieser Gate-Treiber ist ein einkanaliger MOSFET-Treiber zur Steuerung von Leistungstransistoren in Nieder- bis Mittelspannungssystemen. Er arbeitet mit einer geringen Versorgungsspannung und eignet sich für oberflächenmontierte Anwendungen, bei denen eine kompakte Grundfläche und thermische Beständigkeit erforderlich sind. Das Gerät bietet schnelle Schaltfunktionen und mehrere Ausgänge zur Ansteuerung von MOSFET-Gates in einem kompakten Gehäuse.

Merkmale und Vorteile:

• Unterstützt einen Versorgungsbereich von 4,2-20 V für flexible Stromversorgungsanordnungen
• Liefert 8 A Ausgangsstrom für effektive MOSFET-Gate-Ladung
• Fünf Ausgänge ermöglichen die gleichzeitige Gate-Ansteuerung mehrerer Transistoren
• Anstiegszeit 6,5 ns für schnelle Einschaltreaktion
• Fallzeit 4,5 ns für schnelle Abschaltübergänge
• Arbeitet zwischen -40 und 150 °C für erweiterte Temperaturumgebungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Ansteuerung mehrerer Leistungs-MOSFETs in Wandlerstufen
• Ideal für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule und Controller
• Wird mit Einkanal-Gate-Topologien verwendet, die einen hohen Spitzenstrom erfordern
• Kann für Hochfrequenz-Schaltnetzteile verwendet werden
• Geeignet für kompakte Motorsteuerungs-Treiberplatinen

Welches Gehäuse und welche Anzahl von Stiften wird verwendet?

Er wird in einem 6-poligen SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage geeignet ist.

Wie verhält es sich in thermisch anspruchsvollen Umgebungen?

Er ist für den Betrieb bei maximal 150 °C und bei mindestens -40 °C ausgelegt.

Welchen Gate-Treibertyp und welche Ausgangsanordnung bieten sie?

Es handelt sich um einen MOSFET-Treiber mit einem einzigen Treiberkanal und fünf Ausgängen.

Was sind die Abmessungen der Geräte für die Leiterplatten-Layoutplanung?

Das Gehäuse misst 2,9 mm in der Länge, 1,6 mm in der Breite und 1,45 mm in der Höhe.

Welche elektrische Leistung sollte für die Schaltdynamik erwartet werden?

Erwarten Sie eine Anstiegszeit von 6,5 ns und eine Abfallzeit von 4,5 ns bei einer Ausgangsleistung von 8 A.