Infineon 1EDN7512GXTMA1 MOSFET MOSFET 8 A 1 6-Pin WSON 20 V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 222-4765
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDN7512GXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDN7512GXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 8A | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Gehäusegröße | WSON | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 6.5ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.2V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Serie | 1EDN751x | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 8A | ||
Pinanzahl 6 | ||
Gehäusegröße WSON | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 6.5ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.2V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.6 mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Serie 1EDN751x | ||
Höhe 1.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 1-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs sind die Crucial Link zwischen Steuerungs-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltgeräten. Gate-Treiber-ICs ermöglichen hohe Effizienz auf Systemebene, ausgezeichnete Leistungsdichte und konsistente Systemrobustität.
Die Robustheit der Steuer- und Freigabeeingänge von -10 V bietet eine Crucial beim Antrieb von Impulstransform
Die Robustheit des 5-A-Rückausgangsstroms macht Schottky-Schaltdioden beim Steuern von MOSFETs in TO-220- und TO-247-Gehäusen überflüssig
Coole Treiber-ICs dank echter Rail-to-Rail-Ausgangsstufen mit niedriger Impedanz
4-V- und 8-V-UVLO-Optionen (Unterspannungsabschaltung) für sofortigen MOSFET-Schutz während des Starts und unter anormalen Bedingungen
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