Infineon MOSFET MOSFET 5 A 2 8-Pin DSO 20 V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 222-4773
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDN8523FXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4773
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDN8523FXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 5.3ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.93mm | |
| Breite | 3.94 mm | |
| Serie | 2EDN8523F | |
| Höhe | 1.73mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 5.3ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.93mm | ||
Breite 3.94 mm | ||
Serie 2EDN8523F | ||
Höhe 1.73mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Eingangssignale sind TTL- und 3,3-V-CMOS-kompatibel mit einer sehr breiten Spannungshandhabungsfähigkeit von bis zu +20 V und bis zu -10 V dc. Die einzigartige ability, -10 V dc an den Eingangsstiften zu handhaben, schützt das Gerät vor Prellen der Masse. Jeder der beiden Ausgänge kann einen 5-A-Strom mit einer echten Rail-to-Rail-Ausgangsstufe senken und abgeben, was sehr niedrige Impedanzen von 0,7 Ω bis zum positiven bzw. 0,55 Ω bis zur negativen Schiene gewährleistet.
Schneller Miller Plateau Übergang
Präzise Zeitsteuerung
Schnelle und zuverlässige MOSFET-Abschaltung, unabhängig vom Steuerungs-IC
Erhöhte GND-Bounce-Robustheit
Spart Schaltdioden
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