Infineon MOSFET MOSFET 350 mA 6 24-Pin DSO 20 V 20 ns

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RS Best.-Nr.:
226-6039
Herst. Teile-Nr.:
6ED2230S12TXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

350mA

Pinanzahl

24

Abfallzeit

20ns

Gehäusegröße

DSO

Anzahl der Ausgänge

4

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

35ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Anzahl der Treiber

6

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

18.2mm

Serie

6ED2230S12T

Höhe

2.65mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

7.5 mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 6ED2230S12T ist ein Hochgeschwindigkeits-IGBT mit drei unabhängigen High-Side- und Low-Side-Referenzausgangskanälen für dreiphasige Anwendungen. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder TTL-Ausgängen, bis hinunter auf 3,3-V-Logik. Von diesem Widerstand kann auch eine Überstromschutzfunktion abgeleitet werden, die alle sechs Ausgänge abschließt.

Voll funktionsfähig bis +1200 V

Integrierte ultraschnelle Bootstrap-Diode

Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb

Ausgangsquelle/Senkenstrombelastbarkeit +0,35 A/-0,65 A.

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