Infineon Gate-Treiber MOSFET 2 A 24-Pin SSOP 20V 7 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6161
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2214SSTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IR2214SSTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 2A | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Gehäusegröße | SSOP | |
| Abfallzeit | 7ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 4 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 24ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 11.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | IR2214 | |
| Breite | 5.6mm | |
| Länge | 8.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 2A | ||
Pinanzahl 24 | ||
Gehäusegröße SSOP | ||
Abfallzeit 7ns | ||
Anzahl der Ausgänge 4 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 24ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 11.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie IR2214 | ||
Breite 5.6mm | ||
Länge 8.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der Serie IR2214 von Infineon, 11,5 V Mindestversorgungsspannung, 2 A Ausgangsstrom – IR2214SSTRPBF
Dieser Gate-Treiber ist ein oberflächenmontierter MOSFET-Treiber-IC, der für die Verbindung von Niederspannungs-Steuerungslogiken mit Leistungsschaltern in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet mit einem niedrigen Versorgungsschwellenwert und unterstützt die Ansteuerung mit mehreren Ausgängen für kompakte Leistungsstufen, die über einen breiten Umgebungstemperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen funktionieren.
Merkmale und Vorteile:
• Arbeitet ab 11,5 V und ermöglicht so die Kompatibilität mit Niederspannungsanlagen
• Unterstützt eine Versorgungsspannung von bis zu 20 V für eine erhöhte Gate-Drive-Amplitude
• Vier Ausgänge ermöglichen eine Mehrkanal-Schaltsteuerung
• 2 A Ausgangsstrom für effektive Gate-Ladungsabgabe
• Schnelle Abfallzeit von 7 ns zur Reduzierung von Schaltverlusten
• Anstiegszeit von 24 ns für vorhersehbares Schaltverhalten
• Unterstützt eine Versorgungsspannung von bis zu 20 V für eine erhöhte Gate-Drive-Amplitude
• Vier Ausgänge ermöglichen eine Mehrkanal-Schaltsteuerung
• 2 A Ausgangsstrom für effektive Gate-Ladungsabgabe
• Schnelle Abfallzeit von 7 ns zur Reduzierung von Schaltverlusten
• Anstiegszeit von 24 ns für vorhersehbares Schaltverhalten
Anwendungsbereich
• Geeignet für mehrphasige Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für die Ansteuerung von MOSFET-Bänken in Motorsteuerungen
• Wird mit synchronen Abwärtswandlern zur Gate-Steuerung verwendet
• Kann für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule verwendet werden
• Wird für temperaturstabiles Schalten in rauen Umgebungen verwendet
• Ideal für die Ansteuerung von MOSFET-Bänken in Motorsteuerungen
• Wird mit synchronen Abwärtswandlern zur Gate-Steuerung verwendet
• Kann für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule verwendet werden
• Wird für temperaturstabiles Schalten in rauen Umgebungen verwendet
Welche Gehäusetypen sollte ich für das Leiterplatten-Layout planen?
Er wird in einem SSOP-Gehäuse mit 24 Pins geliefert, sodass das Designpad und die Lötmaskenabstände einer 24-poligen SSOP-Abmessung entsprechen.
Welche Umweltgrenzwerte müssen bei thermischem Design berücksichtigt werden?
Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -40 °C und 125 °C ausgelegt, sodass das Wärmemanagement die maximale Umgebungs- und Verlustleistung bei 125 °C berücksichtigen sollte.
Wie viele Schaltkanäle sind für die parallele oder unabhängige Steuerung verfügbar?
Es gibt vier unabhängige Ausgänge, die entweder parallele Antriebskonfigurationen oder eine separate Kanalsteuerung ermöglichen.
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Die Komponente ist für die Oberflächenmontage vorgesehen, daher sind Standard-SMD-Reflow-Prozesse geeignet.
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