onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 20 V 13 ns

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RS Best.-Nr.:
230-9045
Herst. Teile-Nr.:
NCD57090DDWR2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Ausgangsstrom

6.5A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

13ns

Gehäusegröße

SOIC

Anzahl der Ausgänge

5

Treiber-Typ

IGBT

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

4 mm

Länge

5mm

Serie

NCD57090

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Die on Semiconductor Serie NCD57090D sind Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, die für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurden. Die Geräte nehmen komplementäre Eingänge auf und bieten je nach Pinkonfiguration Optionen wie Active Miller Clamp (NCD57090D).

Verbesserte die Systemeffizienz

Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Übereinstimmung

Verbessert die PWM-Signalintegrität

Hohe transiente und elektromagnetische Störfestigkeit

Robustheit in Anwendungen mit schneller Anstiegsgeschwindigkeit bei Hochspannungs- und Hochstromschaltungen

Integrierte galvanische Isolierung mit 5 kV eff

Spart Kosten und Platz auf der Platine und bietet gleichzeitig eine verbesserte Leistung im Vergleich zu Optotreibern

Große Bias-Spannungsbereiche und Eingangsspannungsbereich

Bietet Flexibilität beim Systemdesign und ermöglicht die Verwendung von allgemein verfügbaren Systemspannungsschienen

Aktive Miller Clamp oder negative Gate-Spannung

Bietet eine Auswahl bei der Auswahl der richtigen Funktion in einem kompakten Gehäuse

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