onsemi NCV57081CDR2G MOSFET MOSFET 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 244-9167
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57081CDR2G
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 30ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | NCV57 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 30ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 22V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie NCV57 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die on Semiconductor Hochstrom-Einkanal-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit 3,75 kVeff interner galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Die Geräte nehmen komplementäre Eingänge auf und bieten je nach Pinkonfiguration Optionen wie Active Miller Clamp (Version A), negatives Netzteil (Version B) und separate Treiberausgänge für hohe und niedrige (OUTH und OUTL) (Version C) für Systemdesignkomfort. Der Treiber bietet eine Vielzahl von Eingangsspannungs- und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und ist in einem Gehäuse mit schmalem Gehäuse SOIC-8 erhältlich.
Hoher Peak Ausgangsstrom (+6,5 A/-6,5 A)
Spannungsabfall mit niedriger Klemme beseitigt den Bedarf an negativer Leistung
Versorgung zur Verhinderung von Verstopfungen beim Einschalten (Version A)
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Übereinstimmung
IGBT/MOSFET-Gate-Klemmen während eines Kurzschlusses
IGBT/MOSFET Gate Active Pull-Down
Enge UVLO-Schwellenwerte für Biegsamkeit
Großer Bias-Spannungsbereich einschließlich negativem VEE2 (Version B)
3,3-V-, 5-V- und 15-V-Logik-Eingang
3,75 kVRMS Viso (I-O) (zur Erfüllung der Anforderungen gemäß UL1577)
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