Infineon MOSFET MOSFET 4 mA 24-Pin TSDSO-24 70 V
- RS Best.-Nr.:
- 248-3066
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED4820EMXUMA2
- Marke:
- Infineon
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- 2ED4820EMXUMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4mA | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Gehäusegröße | TSDSO-24 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 70V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4mA | ||
Pinanzahl 24 | ||
Gehäusegröße TSDSO-24 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 70V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 2ED4820-EM ist ein Gate-Treiber, der für 48-V-Hochstromanwendungen im Automobilbereich entwickelt wurde. Er verfügt über leistungsstarke Gate-Ausgänge, die viele MOSFETs parallel ansteuern können, um die Leitungsverluste zu minimieren. Dank seiner beiden Gate-Ausgänge unterstützt er die Back-to-Back-Konfiguration, d. h. sowohl gemeinsame Source- als auch gemeinsame Drain-Strukturen. In der Common-Source-Konfiguration kann ein Gate-Ausgang zum Vorladen hochkapazitiver Lasten verwendet werden. Der 2ED4820-EM erzeugt die Versorgung für die Gate-Ausgänge auf der Basis einer integrierten einstufigen Ladungspumpe mit externen Pump- und Tankkondensatoren. Außerdem verfügt er über eine SPI-Schnittstelle, die eine einfache Konfiguration, Diagnose und Steuerung ermöglicht.
Erweiterter Versorgungsspannungsbereich von 20 bis 70 V und zwei unabhängige High-Side-Gate-Treiberausgänge
1 A Pull Down, 0,3 A Pull Up für schnelles Aus- und Einschalten
Gerätesteuerung, Konfiguration und Diagnose über SPI
Niedriger Versorgungsstrom im Sleep-Modus IBAT_Q < 5 μA
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