Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 310 A, 24-Pin TSDSO
- RS Best.-Nr.:
- 260-1072
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 310A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | TSDSO | |
| Serie | IQE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 310A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße TSDSO | ||
Serie IQE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 24 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon-MOSFETs ermöglichen die Verbindung des Quellpotenzials mit der Leiterplatte über das thermische Pad, was mehrere Vorteile bietet, wie z. B. erhöhte thermische Kapazität, verbesserte Leistungsdichte oder verbesserte Layoutmöglichkeiten. Es verfügt außerdem über die reduzierten Anforderungen an die aktive Kühlung und das effektive Layout für die thermische Steuerung, was auf Systemebene von Vorteilen ist.
Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung
Überlegene thermische Leistung
Optimierte Layoutmöglichkeiten
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