Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 310 A, 24-Pin TSDSO

RS Best.-Nr.:: 260-1072
Herst. Teile-Nr.:: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 310 A, 24-Pin TSDSO

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RS Best.-Nr.:: 260-1072
Herst. Teile-Nr.:: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	310A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	25V
	Serie	IQE
	Gehäusegröße	TSDSO
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	24
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.75mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 310A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 25V
	Serie IQE
	Gehäusegröße TSDSO
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 24
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.75mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IQE006NE2LM5CGSCATMA1

MOSFET der Serie IQE von Infineon, 25 V maximale Drain-Source-Spannung, 310 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Verbesserungstransistor, der für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die einen hohen Dauerstrom und geringe Leitungsverluste erfordern, während er gleichzeitig den RoHS-Grenzwerten entspricht. Das Gerät verwendet ein 24-poliges TSDSO-Gehäuse und ist für die Integration auf Board-Ebene vorgesehen.

Merkmale und Vorteile:

• 0,75 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstrombetrieb
• Die Durchlassspannung von 1 V reduziert die Verlustleistung in Leitungswegen
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 310 A unterstützt schwere Schaltanforderungen
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei extremen Temperaturen
• Die 24-polige Oberflächenmontage erleichtert die Montage von Leiterplatten mit hoher Dichte

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für die Stromverteilung in der Industrieelektronik
• Wird mit Motor-Antriebsstufen verwendet, die geringe Verluste erfordern
• Kann für Halbleiterschaltmodule verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Designs mit hoher Leistung

Welches Gehäuse wird für die Leiterplattenmontage verwendet?

Er wird in einem TSDSO-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist.

Wie wirkt sich der Kanaltyp auf das Schaltverhalten aus?

Der N-Kanal-Enhancement-Modus sorgt für einen geringen Einschaltwiderstand und eine effiziente Leitung, wenn er in die Enhancement getrieben wird.

Welche Umgebungsgrenzwerte definieren die nutzbare Temperatur?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C für einen großen Temperaturbereich ausgelegt.

Welche gesetzlichen Beschränkungen werden für Materialien eingehalten?

Die Komponente ist RoHS-konform und beschränkt bestimmte gefährliche Stoffe.

Welche Drain-Source-Spannung darf nicht überschritten werden?

Die maximal zulässige Drain-Source-Spannung beträgt 25 V.