Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 44 A 310 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 688-6998
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4229PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 44 A 310 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 688-6998
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4229PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	44A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	46mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	72nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	310W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	5.3 mm
	Höhe	20.3mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	15.9mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 46mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 310W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 5.3 mm
	Höhe 20.3mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 15.9mm
	Automobilstandard Nein

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