Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 3 A 8-Pin SOIC 100 V 10 ns

Alle Gate-Treiber anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 980 Stück)*

1.994,30 €

(ohne MwSt.)

2.373,56 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 15. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
980 +2,035 €1.994,30 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
264-0588
Herst. Teile-Nr.:
HIP2101EIBZ
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

3A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

10ns

Gehäusegröße

SOIC

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

10ns

Minimale Versorgungsspannung

100V

Maximale Versorgungsspannung

100V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Höhe

1.7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

3.98 mm

Serie

HIP2101

Automobilstandard

Nein

Der Gate-Treiber von Renesas Electronics ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber mit einem dreistufigen PWM-Eingang mit einer Betriebsversorgung und integrierter High-Side-Bootstrap-Vorspannung. Er unterstützt den Antrieb von High-Side- und Low-Side-NMOS in Halbbrückenanwendungen.

Programmierbare Totzeit verhindert Durchschlag

Bidirektionaler Wandler

Verwandte Links