IXYS IGBT / 50 A, 1200 V 300 W, 3-Pin TO-268 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
192-635
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-420
Herst. Teile-Nr.:
IXGT30N120B3D1
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gehäusegröße

TO-268

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

160ns

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

3.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

Mid-Frequency

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

IGBTs, diskret, IXYS


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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