IXYS IGBT-Modul / 90 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin Y4 M5 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 193-880
- Herst. Teile-Nr.:
- MII75-12A3
- Marke:
- IXYS
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 90 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Konfiguration | Serie | |
| Gehäusegröße | Y4 M5 | |
| Montage-Typ | Tafelmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Abmessungen | 94 x 34 x 30mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 90 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Konfiguration Serie | ||
Gehäusegröße Y4 M5 | ||
Montage-Typ Tafelmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Abmessungen 94 x 34 x 30mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
IGBT-Module IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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