- RS Best.-Nr.:
- 193-880
- Herst. Teile-Nr.:
- MII75-12A3
- Marke:
- IXYS
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Produktdetails
IGBT-Module IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 90 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Konfiguration | Serie |
Gehäusegröße | Y4 M5 |
Montage-Typ | Tafelmontage |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 7 |
Transistor-Konfiguration | Serie |
Abmessungen | 94 x 34 x 30mm |
Betriebstemperatur min. | -40 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 193-880
- Herst. Teile-Nr.:
- MII75-12A3
- Marke:
- IXYS