IXYS IGBT-Modul / 135 A, 1200 V 560 W, 7-Pin Y4-M5 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 193-874
- Herst. Teile-Nr.:
- MII100-12A3
- Marke:
- IXYS
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 135A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 560W | |
| Gehäusegröße | Y4-M5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 30kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | NPT | |
| Höhe | 30mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 94mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 135A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 560W | ||
Gehäusegröße Y4-M5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Schaltgeschwindigkeit 30kHz | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie NPT | ||
Höhe 30mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 94mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT-Module IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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