IXYS IGBT-Modul / 135 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin Y4 M5 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Box mit 6 Stück)*

467,718 €

(ohne MwSt.)

556,584 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 13. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Box*
6 +77,953 €467,72 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-4474
Herst. Teile-Nr.:
MII100-12A3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

135 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Konfiguration

Serie

Gehäusegröße

Y4 M5

Montage-Typ

Tafelmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

7

Transistor-Konfiguration

Serie

Abmessungen

94 x 34 x 30mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

IGBT-Module IXYS



IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links