Infineon IGBT / 100 A, 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
162-3316
Herst. Teile-Nr.:
IKY50N120CH3XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

652W

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

4

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.35V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

15.9 mm

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

41.2mm

Automobilstandard

Nein

Infineon stellt das neue 4-polige Kelvin-Emitter-TO-247PLUS-Gehäuse für 1200-V-IGBTs vor, das den Anforderungen des Marktes nach hoher Leistungsdichte und höchster Leistung diskreter Produkte gerecht wird. Höhere Strombelastbarkeit, verbessertes thermisches Verhalten und eine erweiterte C-E-Kriechstromfestigkeit sind die Hauptmerkmale des TO-247PLUS-Gehäuses. Die 4-polige Gehäusekonfiguration bietet eine extrem niedrige Induktivität für den Gate-Emitter-Rückführungskreis mit dem 4-poligen Gehäuse direkt zum Gate-Treiber und ermöglicht eine Reduzierung der E-On- und E-Off-Verluste, die insgesamt bis zu 20 % geringere Gesamtschaltverluste der Ets ergeben.

Extrem niedrige Regelinduktivitätsschleife mit zusätzlichem Emitter-Pin für Treiber-Rückkopplung20 % weniger Gesamtschaltverluste im Vergleich zum 3-poligen Gehäuse mit der gleichen TechnologieBis zu 75-A-1200-V-IGBT mit 75-A-Diode in TO-247-Abmessung1200-V-IGBT bietet höchste Effizienz bei geringsten SchaltverlustenDiskreter 1200-V-IGBT mit hoher LeistungsdichteGeringerer Wärmewiderstand

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