Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 500 W PG-TO247-3-46
- RS Best.-Nr.:
- 260-5092
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 260-5092
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die schwer schaltbare Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in TO247 PLUS-Gehäuse mit weicher, schneller, antiparalleler Emitter-gesteuerter Diode.
Hoher Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien
Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Niedrige Gate-Ladung QG
Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Niedrige Gate-Ladung QG
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 500 W |
| Konfiguration | Single |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3-46 |
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