Infineon IGBT / 50 A, 1.2 kV 652 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 260-5093
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ50N120CH3XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-5093
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ50N120CH3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 652W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.9mm | |
| Länge | 41.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 652W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.9mm | ||
Länge 41.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Hard Switching-Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in einem TO247 PLUS-Gehäuse mit einer weichen und schnellen Wiederherstellungsdiode mit antiparallelem Emitter-gesteuerter Vollstrom.
Hoher Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien
Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Niedrige Gate-Ladung QG
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