Infineon IGBT / 100 A, 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 260-5105
- Herst. Teile-Nr.:
- IKY50N120CH3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
151,56 €
(ohne MwSt.)
180,36 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 5,052 € | 151,56 € |
| 60 - 60 | 4,80 € | 144,00 € |
| 90 + | 4,496 € | 134,88 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5105
- Herst. Teile-Nr.:
- IKY50N120CH3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 652W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.35V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Länge | 41.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 652W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.35V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.9 mm | ||
Länge 41.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Hard Switching-Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in einem TO247 PLUS-Gehäuse mit einer weichen und schnellen Wiederherstellungsdiode mit antiparallelem Emitter-gesteuerter Vollstrom.
Sehr weiche, schnelle Erholung, Vollstrom-Anti-Paralleldiode
Die maximale Anschlusstemperatur beträgt 175 °C.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 652 W PG-TO247-4-2
- Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 652 W PG-TO247-3-46
- Infineon IGBT ±20V max., 650 V PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 500 W PG-TO247-3-46
- Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 938 W PG-TO247-4-2
- Infineon IGBT 536 W PG-TO247-4
- Infineon IGBT / 41 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT 250 W PG-TO247-3
