Teile-Nr.

Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 652 W PG-TO247-4-2

RS Best.-Nr.:: 260-5105
Herst. Teile-Nr.:: IKY50N120CH3XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 652 W PG-TO247-4-2

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RS Best.-Nr.:: 260-5105
Herst. Teile-Nr.:: IKY50N120CH3XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	100 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	652 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-4-2
	Konfiguration	Single

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 100 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 652 W
	Gehäusegröße PG-TO247-4-2
	Konfiguration Single

Datasheet - IKY50N120CH3XKSA1

Die Hard Switching-Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in einem TO247 PLUS-Gehäuse mit einer weichen und schnellen Wiederherstellungsdiode mit antiparallelem Emitter-gesteuerter Vollstrom.

Sehr weiche, schnelle Erholung, Vollstrom-Anti-Paralleldiode
Die maximale Anschlusstemperatur beträgt 175 °C.

Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 652 W PG-TO247-4-2

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