IXYS IGBT / 100 A, 600 V 695 W, 3-Pin TO-264 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
168-4587
Herst. Teile-Nr.:
IXXK100N60C3H1
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

695W

Gehäusegröße

TO-264

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

60kHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

Planar

Energie

600mJ

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

IGBTs, diskret, IXYS


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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