IXYS IGBT / 100 A, 600 V 695 W, 3-Pin TO-264 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 168-4587
- Herst. Teile-Nr.:
- IXXK100N60C3H1
- Marke:
- IXYS
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
439,15 €
(ohne MwSt.)
522,60 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 + | 17,566 € | 439,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-4587
- Herst. Teile-Nr.:
- IXXK100N60C3H1
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 695W | |
| Gehäusegröße | TO-264 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 60kHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | Planar | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Energie | 600mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 695W | ||
Gehäusegröße TO-264 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 60kHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie Planar | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Energie 600mJ | ||
- Ursprungsland:
- PH
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- IXYS IGBT / 100 A 3-Pin TO-264 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS IGBT / 570 A 3-Pin TO-264 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 100 A 3-Pin TO-264 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS HiperFET THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN
- IXYS Polar3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- IXYS IGBT / 48 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- IXYS IGBT, 3-Pin ISOPLUS247 Typ N-Kanal
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 64 A 1.13 kW, 3-Pin TO-264