Vishay SI7489DP-T1-E3 IGBT

RS Best.-Nr.:: 180-7802
Herst. Teile-Nr.:: SI7489DP-T1-E3
Marke:: Vishay

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RS Best.-Nr.:: 180-7802
Herst. Teile-Nr.:: SI7489DP-T1-E3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay P-Kanal SO-8 MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 41 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 83 W und einen Dauerstrom von 28 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei
• neues PowerPAK-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und niedrigem Profil von 1,07 mm
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• PWM-optimiert
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Halbbrücken-Motorantriebe
• Nicht-synchrone Hochspannungs-Abwärtswandler
• Lastschalter

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21