Vishay IGBT 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 Typ P-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 180-7802
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7489DP-T1-E3
- Marke:
- Vishay
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| 50 - 120 | 2,172 € | 10,86 € |
| 125 - 245 | 1,81 € | 9,05 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7802
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7489DP-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 50 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 6.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Energie | 61mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 50 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Länge 6.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Energie 61mJ | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay P-Kanal SO-8 MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 41 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 83 W und einen Dauerstrom von 28 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• neues PowerPAK-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und niedrigem Profil von 1,07 mm
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• PWM-optimiert
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• Halbbrücken-Motorantriebe
• Nicht-synchrone Hochspannungs-Abwärtswandler
• Lastschalter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21