Vishay IGBT 20.8 W, 3-Pin TO-252 Typ P-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 180-8117
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD08P06-155L-GE3
- Marke:
- Vishay
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| 20 - 80 | 0,849 € | 16,98 € |
| 100 - 180 | 0,823 € | 16,46 € |
| 200 - 480 | 0,781 € | 15,62 € |
| 500 - 980 | 0,747 € | 14,94 € |
| 1000 + | 0,703 € | 14,06 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8117
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD08P06-155L-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20.8W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.22mm | |
| Breite | 6.73 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS-compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20.8W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.22mm | ||
Breite 6.73 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS-compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-252-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 52mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 20.8W. It can be used in load switches for portable devices. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET