onsemi IGBT / 75 A, 650 V 455 W, 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 181-1889
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH75T65SHDTL4
- Marke:
- onsemi
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- FGH75T65SHDTL4
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 455W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | Field Stop 3rd generation | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Energie | 160mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 455W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie Field Stop 3rd generation | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Energie 160mJ | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dank der neuartigen Feldsperren-IGBT-Technologie bietet die neue Serie der Feldsperren-IGBTs der 3. Generation von Fairchild optimale Leistung für Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unentbehrlich sind.
Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C
Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) bei IC = 75 A
100 % der Teile getestet für ILM(1)
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
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