onsemi IGBT 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
181-1935P
Herst. Teile-Nr.:
FGH75T65SQDTL4
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Verlustleistung max.

375 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

P

Pinanzahl

4

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Ursprungsland:
CN
Dank der neuartigen Feldsperren-IGBT-Technologie bietet die neue Serie der Feldsperren-IGBTs der 4. Generation von ON Semiconductor optimale Leistung für Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unentbehrlich sind.

Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C
Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) bei IC = 75 A
100 % der Teile getestet für ILM(1)
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung

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